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我们专业致力于光电、压电

晶体薄膜系列产品
提供专业代工服务

晶片减薄服务

技术指标：

材质

铌酸锂、钽酸锂、

硅等

尺寸

3/4/6 inch

厚度

20~1000μm

TTV

＜1μm

Ra

＜0.15μm

PECVD沉积服务

晶片尺寸

3-6英寸晶圆片

沉积厚度

0.5μm-5μm

TTV

＜±5%

技术指标：

CMP晶圆抛光服务

晶片尺寸

3~6英寸

材质

铌酸锂、钽酸锂、硅、氧化硅等

Ra

＜0.5nm

TTV

＜±3%

技术指标：

晶片切割代工服务

晶片尺寸

最大可加工6英寸晶圆片

可加工材质

各种半导体晶圆，电子零件

技术指标：

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